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경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 사장은 20일 열린 제55기 정기 주주총회에서 **"메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM(고대역폭메모리) 선행을 통해 HBM3·HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획"**이라며 이같이 밝혔다.

삼성전자는 D램, 낸드플래시에 선단 공정 비중을 늘릴 방침이다. 경 사장은 "D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침"이라고 말했다.

경 사장은 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 대해 "업계 최초 GAA(게이트 올 어라운드) 3nm(1나노미터·10억분의 1m) 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 내년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획"이라고 했다. 2나노 공정은 내년에 삼성전자, TSMC, 인텔 모두 실현하겠다고 선언한 선단 공정이다. 그는 "오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4·5·8·14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침"이라고 했다.

https://www.asiae.co.kr/article/2024032011050024872